我國建成亞洲最大寬禁帶碳化硅基地

    近日，記者從中國寬禁帶功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟獲悉，國家重大科技成果轉(zhuǎn)化及山東省重點建設(shè)項目——山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司功能器材用碳化硅襯底項目順利完工,標(biāo)志著我國建成亞洲規(guī)模最大的寬禁帶碳化硅半導(dǎo)體材料生產(chǎn)基地。

    據(jù)悉，寬禁帶碳化硅半導(dǎo)體材料是第三代半導(dǎo)體核心材料，目前正在逐步取代硅(Si)晶等傳統(tǒng)材料，成為新一代高端半導(dǎo)體行業(yè)的主要生產(chǎn)材料。寬禁帶碳化硅半導(dǎo)體材料廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體電力電子器件、微波器件、光電子器件等領(lǐng)域，對我們國家的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級和國防戰(zhàn)略安全具有重要意義。但由于寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅半導(dǎo)體材料存在巨大的技術(shù)和工業(yè)化瓶頸，世界上只有少數(shù)幾個企業(yè)和科研機(jī)構(gòu)掌握，至今一直對我國實行禁運(yùn)封鎖,嚴(yán)重制約我們國家新一代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

    目前建成的生產(chǎn)基地占地191畝，總建筑面積8萬平方米，設(shè)備全部達(dá)產(chǎn)后將形成年產(chǎn)35萬片碳化硅襯底的生產(chǎn)能力，將徹底改變我國寬禁帶碳化硅半導(dǎo)體材料受制于人的局面,帶動我國碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈快速發(fā)展，形成千億級的碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群。