微電子所在單節(jié)鋰電池保護(hù)芯片研發(fā)方面取得進(jìn)展

作者: 2016年01月06日 來(lái)源:互聯(lián)網(wǎng) 瀏覽量:
字號(hào):T | T
近日,中國(guó)科學(xué)院微電子研究所汽車電子研發(fā)中心在單節(jié)鋰電池保護(hù)芯片研發(fā)方面取得新進(jìn)展,其中型號(hào)為DM5261的保護(hù)芯片已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。   為確保單節(jié)鋰電池的安全性和耐用性,每個(gè)鋰電池都需配備相應(yīng)的保護(hù)芯片。此

  近日,中國(guó)科學(xué)院微電子研究所汽車電子研發(fā)中心在單節(jié)鋰電池保護(hù)芯片研發(fā)方面取得新進(jìn)展,其中型號(hào)為DM5261的保護(hù)芯片已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

  為確保單節(jié)鋰電池的安全性和耐用性,每個(gè)鋰電池都需配備相應(yīng)的保護(hù)芯片。此芯片能有效防止電池產(chǎn)生過(guò)充、過(guò)放、充/放電過(guò)流和短路狀態(tài),確保電池的正常使用。

  在深圳德賽微電子技術(shù)有限公司橫向項(xiàng)目的支持下,微電子所汽車電子研發(fā)中心針對(duì)單節(jié)鋰電池的過(guò)充、過(guò)放、過(guò)電流及短路電流的保護(hù)問(wèn)題開(kāi)展研究。項(xiàng)目組在前期多次MPW流片測(cè)試的基礎(chǔ)上,攻克了BandgapBIAS形成3個(gè)反饋環(huán)路交互啟動(dòng)、ESD耐壓、檢測(cè)精度及封裝良率等難題,成功研制出多款低功耗、低成本、高精度的單節(jié)鋰電保護(hù)芯片(結(jié)構(gòu)框如圖1所示)。研制的單節(jié)鋰電池保護(hù)芯片具有過(guò)充電、過(guò)放電、放電過(guò)流、充電過(guò)流、短路檢測(cè)和0V充電允許/禁止功能。芯片內(nèi)部包含比較器、振蕩器(頻率1KHz)和邏輯電路等多個(gè)模塊,采用快速啟動(dòng)電路設(shè)計(jì),消除了啟動(dòng)過(guò)程中輸出電壓的尖峰效應(yīng),電源電壓范圍廣(2V-5V),功耗極低,工作模式下耗電3μAVDD=3.9V,典型值),休眠模式下耗電最大值0.1μAVDD=2V),檢測(cè)精度、檢測(cè)范圍和功耗等核心指標(biāo)超過(guò)國(guó)際同類產(chǎn)品,相關(guān)成果已申請(qǐng)發(fā)明專利,具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。

1.鋰電池保護(hù)芯片結(jié)構(gòu)框圖

2.鋰電池保護(hù)芯版圖 

3.鋰電池保護(hù)芯片

  

4.系統(tǒng)級(jí)仿真結(jié)果。左:充電過(guò)流檢測(cè) ;右:過(guò)充檢測(cè)

全球化工設(shè)備網(wǎng)(http://m.bhmbl.cn )友情提醒,轉(zhuǎn)載請(qǐng)務(wù)必注明來(lái)源:全球化工設(shè)備網(wǎng)!違者必究.

標(biāo)簽:單節(jié)鋰電池保護(hù)芯片

分享到:
免責(zé)聲明:1、本文系本網(wǎng)編輯轉(zhuǎn)載或者作者自行發(fā)布,本網(wǎng)發(fā)布文章的目的在于傳遞更多信息給訪問(wèn)者,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn),同時(shí)本網(wǎng)亦不對(duì)文章內(nèi)容的真實(shí)性負(fù)責(zé)。
2、如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問(wèn)題,請(qǐng)?jiān)?0日內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,我們將在第一時(shí)間作出適當(dāng)處理!有關(guān)作品版權(quán)事宜請(qǐng)聯(lián)系:+86-571-88970062