3月15日,中國科學(xué)院高能物理研究所組織專家對166.6MHz超導(dǎo)高頻腔低溫垂直測試進行了現(xiàn)場測試,該超導(dǎo)腔是高能同步輻射光源驗證裝置(HEPS-TF)中的核心研制內(nèi)容之一。測試專家組由來自于清華大學(xué)、北京大學(xué)和中科院高能所的專家組成,專家組聽取了課題組的介紹,對166.6MHz超導(dǎo)高頻腔進行了現(xiàn)場測試。
測試結(jié)果表明,分別在4.2K和2K溫度下,166.6MHz beta=1的超導(dǎo)高頻腔垂直測試已經(jīng)達到了設(shè)計目標,并具有較高的Q0值。在4.2K溫度下腔壓達到1.5MV,Q0值為2.4x109(設(shè)計目標:1.5MV, Q0>5x108@4.2K)。4.2K下的低場表面電阻為10 nΩ,表面殘余電阻僅為2.3nΩ。
166.6MHz超導(dǎo)腔是國際上首個低頻(<200MHz)強流(流強>200mA)高功率(>150kW)beta=1的超導(dǎo)腔,4K和2K的測試結(jié)果表明指標均達到了世界領(lǐng)先水平,是HEPS-TF項目的重要里程碑。該腔由北京高能銳新科技有限公司制造,高能所加速器中心高頻組負責完成超導(dǎo)腔的后處理工作。
166.6MHz beta=1的超導(dǎo)高頻腔垂直測試達到設(shè)計目標
166.6MHz超導(dǎo)高頻腔
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