北航大與微電子所成功制備80納米STT-MRAM器件

  存儲(chǔ)器是當(dāng)今每一個(gè)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、存儲(chǔ)方案和移動(dòng)設(shè)備都使用的關(guān)鍵部件之一。存儲(chǔ)器的性能、可擴(kuò)展性，可靠性和成本是決定推向市場的每個(gè)系統(tǒng)產(chǎn)品經(jīng)濟(jì)上成功或失敗的主要標(biāo)準(zhǔn)。近日，北京航空航天大學(xué)與中國科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合成功制備國內(nèi)首個(gè)80納米自旋轉(zhuǎn)移矩——磁隨機(jī)存儲(chǔ)器芯片（STT-MRAM）器件。
  80納米STT-MRAM器件　　　　STT-MRAM是一種極具應(yīng)用潛力的下一代新型存儲(chǔ)器解決方案。由于采用了大量的新材料、新結(jié)構(gòu)，加工制備難度極大。當(dāng)前，美韓日三國在該項(xiàng)技術(shù)上全面領(lǐng)先，很有可能在繼硬盤、DRAM及閃存等存儲(chǔ)芯片之后再次實(shí)現(xiàn)對(duì)我國100%的壟斷。微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心研究員趙超與北京航空航天大學(xué)教授趙巍勝的聯(lián)合團(tuán)隊(duì)通過3年的攻關(guān)，在STT-MRAM關(guān)鍵工藝技術(shù)研究上實(shí)現(xiàn)了重要突破，在國內(nèi)首次采用可兼容CMOS工藝成功制備出直徑80nm的磁隧道結(jié)，器件性能良好，其中器件核心參數(shù)包括隧穿磁阻效應(yīng)達(dá)到92%，可實(shí)現(xiàn)純電流翻轉(zhuǎn)且電流密度達(dá)到國際領(lǐng)先水平?！　　　≡诒本┦锌莆拇罅χС窒拢摴ぷ魍耆捎昧丝杉嫒輦鹘y(tǒng)CMOS集成電路的工藝方法和流程，具備向產(chǎn)品化、產(chǎn)業(yè)化轉(zhuǎn)移的條件，對(duì)我國存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的技術(shù)突破形成了具有實(shí)際意義的推動(dòng)作用?！　　　【庉孅c(diǎn)評(píng)　　　　STT-MRAM顯著減小了芯片尺寸，同時(shí)提供了接近邏輯處理速度的高速NVM。可以預(yù)期，該技術(shù)可提供更低成本、更快啟動(dòng)時(shí)間、以及一系列新功能，故特別適用于移動(dòng)和存儲(chǔ)設(shè)備應(yīng)用。