中科院科研裝備研制項(xiàng)目“晶片級(jí)器件輻照及輻射效應(yīng)參數(shù)提取設(shè)備”通過(guò)驗(yàn)收

　　5月26日，中國(guó)科學(xué)院條件保障與財(cái)務(wù)局組織專家對(duì)中國(guó)科學(xué)院新疆理化技術(shù)研究所承擔(dān)的中科院科研裝備研制項(xiàng)目“晶片級(jí)器件輻照及輻射效應(yīng)參數(shù)提取設(shè)備”進(jìn)行了驗(yàn)收。

　　驗(yàn)收專家組現(xiàn)場(chǎng)考核了儀器設(shè)備的技術(shù)指標(biāo)，認(rèn)真聽(tīng)取了項(xiàng)目工作報(bào)告，經(jīng)質(zhì)詢和討論，專家組一致認(rèn)為該設(shè)備同時(shí)實(shí)現(xiàn)了晶片級(jí)器件輻照試驗(yàn)、器件特性參數(shù)在線提取功能，在國(guó)內(nèi)率先突破了晶片級(jí)器件加電偏置輻照技術(shù)，為器件輻射效應(yīng)精確建模、商用代工線的抗輻射性能評(píng)估提供了有效的測(cè)試手段；研制的設(shè)備可適用不同種類器件的輻照，具有結(jié)構(gòu)一體化、操作自動(dòng)化的特點(diǎn)，全部技術(shù)指標(biāo)均達(dá)到或優(yōu)于預(yù)期目標(biāo)。之前國(guó)內(nèi)由于不具備適用于器件輻射效應(yīng)提參建模的試驗(yàn)平臺(tái)，無(wú)法在器件設(shè)計(jì)、流片階段給出加固建議，評(píng)估抗輻射性能，一定程度上增加了研發(fā)成本，延長(zhǎng)了生產(chǎn)周期。該設(shè)備突破了這一技術(shù)瓶頸，填補(bǔ)了該領(lǐng)域的國(guó)內(nèi)空白，為晶片級(jí)器件輻照、提參提供試驗(yàn)條件，形成面向抗輻射器件研制全過(guò)程的輻射效應(yīng)試驗(yàn)評(píng)估、提參建模共性技術(shù)服務(wù)平臺(tái)，為元器件設(shè)計(jì)加固工藝的發(fā)展提供試驗(yàn)技術(shù)支撐。

　　該設(shè)備已成功應(yīng)用于中科院微電子研究所、中電集團(tuán)44所、杭州電子科技大學(xué)、長(zhǎng)光辰芯光電公司等單位的微納MOS器件、CCD器件、CMOS圖像傳感器、半導(dǎo)體射頻電路的輻射效應(yīng)評(píng)估驗(yàn)證，獲得了用戶的高度認(rèn)可，為國(guó)產(chǎn)抗輻射器件的研制與試驗(yàn)評(píng)估提供了有效的試驗(yàn)手段。