每個(gè)人都想擁有“充電五分鐘,通話兩小時(shí)”的理想手機(jī)。而這個(gè)簡(jiǎn)單的“理想”卻代表著對(duì)電子產(chǎn)品中半導(dǎo)體材料和器件性能的追求。手機(jī)里芯片快速數(shù)據(jù)運(yùn)算過(guò)程和電池能量存儲(chǔ)過(guò)程都發(fā)生在只有頭發(fā)絲直徑萬(wàn)分之一的納米尺度下,而這些過(guò)程會(huì)影響到產(chǎn)品的工作穩(wěn)定性和服役壽命。
近年來(lái),圍繞這一前沿基礎(chǔ)科學(xué)問(wèn)題,北京科技大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院教授、中國(guó)科學(xué)院院士張躍團(tuán)隊(duì)在國(guó)家重大科研儀器研制項(xiàng)目(自由申請(qǐng))的支持下,開(kāi)展了“納尺度多場(chǎng)耦合效應(yīng)的原位表征系統(tǒng)”研制工作。
日前,項(xiàng)目順利通過(guò)結(jié)題驗(yàn)收,該儀器的成功研制,將實(shí)現(xiàn)對(duì)半導(dǎo)體材料在服役過(guò)程中各項(xiàng)指標(biāo)的原位監(jiān)測(cè)。研制過(guò)程中,科學(xué)家率先實(shí)現(xiàn)了在超高真空、極低溫、多波段光譜入射采集、納牛級(jí)應(yīng)力精確加載等條件下,材料微觀原子結(jié)構(gòu)、界面能帶結(jié)構(gòu)、器件電學(xué)性能的跨尺度原位表征。
過(guò)去幾十年來(lái),研究者已經(jīng)在金屬材料體系中建立起成熟的材料服役研究和表征方法,監(jiān)測(cè)其服役過(guò)程中的各項(xiàng)指標(biāo),從而對(duì)材料的服役可靠性進(jìn)行精準(zhǔn)判斷。
但是,針對(duì)半導(dǎo)體材料服役行為的研究卻面臨較大挑戰(zhàn)。據(jù)研究人員介紹,一方面,隨著芯片集成度提升,半導(dǎo)體器件中材料越來(lái)越小,如今單個(gè)晶體管核心結(jié)構(gòu)單元的尺寸小于10納米;另一方面,隨著可穿戴設(shè)備和便攜設(shè)備的發(fā)展,半導(dǎo)體材料與器件的工作環(huán)境越來(lái)越復(fù)雜,冷熱交替、潮濕、彎折與柔性等環(huán)境都對(duì)材料和器件有了更加嚴(yán)苛的要求。他們意識(shí)到,建立能在多場(chǎng)耦合服役條件下針對(duì)低維半導(dǎo)體材料的結(jié)構(gòu)和性能演變規(guī)律進(jìn)行原位研究的方法與技術(shù)手段,對(duì)研制下一代半導(dǎo)體材料與器件尤為重要。
與此同時(shí),國(guó)家未來(lái)發(fā)展對(duì)于下一代半導(dǎo)體材料與器件也有重大現(xiàn)實(shí)需求。在這樣的背景下,研究團(tuán)隊(duì)決定自主研制一臺(tái)新儀器,以在納尺度多場(chǎng)耦合效應(yīng)下進(jìn)行半導(dǎo)體材料和器件性能調(diào)控與服役行為原位科學(xué)研究。
2016年,在國(guó)家自然科學(xué)基金資助下,國(guó)家重大科研儀器研制項(xiàng)目(自由申請(qǐng))“納尺度多場(chǎng)耦合效應(yīng)的原位表征系統(tǒng)”正式立項(xiàng)。研制這一新儀器的難點(diǎn)在于,通過(guò)多物理場(chǎng)耦合模擬半導(dǎo)體材料和器件的實(shí)際工作條件,從納尺度原位揭示半導(dǎo)體材料與器件界面載流子輸運(yùn)行為與調(diào)控規(guī)律。同時(shí),通過(guò)材料結(jié)構(gòu)和界面的精細(xì)設(shè)計(jì),提高半導(dǎo)體器件性能,設(shè)計(jì)構(gòu)筑低功耗、高性能的半導(dǎo)體器件,研究建立納尺度下半導(dǎo)體材料與器件的服役行為研究方法與評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)。
面向未來(lái),研究團(tuán)隊(duì)表示,目前的設(shè)備僅是1.0版本,在調(diào)試和使用的過(guò)程中,設(shè)備從系統(tǒng)、軟件、硬件等多方面將不斷簡(jiǎn)化、優(yōu)化,經(jīng)過(guò)幾年時(shí)間的調(diào)試,有望達(dá)到成果轉(zhuǎn)化需求。該設(shè)備能為研制低功耗晶體管、高效率光電轉(zhuǎn)換器件、自驅(qū)動(dòng)可穿戴人工智能傳感器件等提供技術(shù)支撐。
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