鐵酸鉍應(yīng)用技術(shù)獲突破

    日前，美國(guó)北卡羅來(lái)納州立大學(xué)研究人員首次將鐵酸鉍（BFO）單晶體集成到硅片上，從而向制造新一代多功能智能設(shè)備邁出了關(guān)鍵一步。

　　鐵酸鉍具有鐵磁性和鐵電性雙重性能，這意味著它能夠被通過(guò)其中的電流磁化。將鐵酸鉍作為一個(gè)單晶體集成在硅基板上，通過(guò)控制從鐵酸鉍中泄漏到硅基上的電荷數(shù)量，可以使其發(fā)揮更大效率。研究人員發(fā)現(xiàn)，集成在硅基上的鐵酸鉍晶體在外延生長(zhǎng)過(guò)程中能夠與錳酸鍶鑭（LSMO）電極很好地匹配，且可以使用小到4伏特的電流來(lái)關(guān)閉鐵酸鉍磁場(chǎng)的兩極，這與現(xiàn)有集成電路需要的電壓相當(dāng)。研究人員還發(fā)現(xiàn)，一個(gè)低強(qiáng)度的外部磁場(chǎng)也能關(guān)閉鐵酸鉍的兩極，而且，由于外部磁場(chǎng)不會(huì)在鐵酸鉍中產(chǎn)生熱量，這將使它在某些應(yīng)用中顯得更為重要。

　　“這項(xiàng)工作意味著我們現(xiàn)在能夠開(kāi)發(fā)出對(duì)數(shù)據(jù)具有更快感測(cè)、處理和反應(yīng)能力的智能設(shè)備，這些過(guò)程能發(fā)生在同一個(gè)芯片上，即數(shù)據(jù)不需要被中轉(zhuǎn)到其他地方?！表?xiàng)目主要負(fù)責(zé)人、北卡羅來(lái)納州立大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)教授杰伊·納拉揚(yáng)解釋說(shuō)。

　　該研究項(xiàng)目得到了美國(guó)國(guó)家研究委員會(huì)和陸軍研究辦公室資助，成果發(fā)表于近期出版的《納米通訊》在線版上。