半自動6個9氬氣純化裝置的簡單介紹高純氬氣用于焊接、不銹鋼制造、冶煉,還用于半導體制造工藝中的化學氣相淀積、晶體生長、熱氧化、外延、擴散、多晶硅、鎢化、離子注入、載流、燒結等氬氣作為制作單晶及多晶硅的保護氣。半自動6個9氬氣純化裝置的詳細信息高純氬氣純化設備 一、 概述 氬氣作為制作單晶及多晶硅的保護氣體,為了提高硅晶體的質量,如何選用較高純度的氬氣,是制作硅晶體的一個議題。通過對本裝置的使用,氬氣的純度其中氧含量小于1ppm時,水分也小于1ppm時,制作出的單晶硅其氧碳含量就小于0.5ppm,這樣就提高了單晶的使用壽命并能達到要求,贏得客戶的滿意和市場的需求。 由于一般液氬汽化后未經過純化處理,它的氧含量一般在2ppm~5ppm。有時氣體供應商提供的氬氣超過了此范圍,使用氬氣的客戶不知道其質量,所以往往給生產產品質量造成影響。有了氬氣純化裝置后不論氬原料氣的質量如何,只要經過純化裝置的處理后,進入拉晶爐的氬氣,純度始終是恒定的。 一般氧含量小于0.5ppm,水分小于1ppm,這樣穩(wěn)定的氬氣對生產晶體的質量是有保證的。 二、 關于氬氣純化的方法 第一種 直接脫氧法。就是使用活性金屬與氬氣中的氧氣進行反應,消化掉氬氣中的氧氣,從而達到脫氧的目的,經過分子篩吸收掉氬氣中的水份,使氬氣的含水量小于1ppm。 第二種 是采用吸氣劑。在一定溫度下,吸氣劑可吸收氮、氫、氧、一氧化碳、二氧化碳、甲烷等氣體經吸收處理后,氬氣的純度可達到6個九,這種保護氣體更適用于制作高純度的半導體的單晶硅。 利用吸氣劑純化后氬氣的純度: O2≤0.2ppm H2≤0.5ppm N2≤1ppm CO+CO2≤0.5ppm CH4≤0.5ppm 水份≤1ppm 第一種方法設備投資小,設備中脫氧劑的使用壽命一般大于四年。 第二種方法設備純化純度高但投資相對較大,吸氣劑使用壽命為兩年。 ` ★ :本公司也可根據客戶要求,直接做高壓的,這樣就可省掉使用模壓機增壓工序。 還可根據客戶要求,配備分析儀在線時時檢測設備中氣體純度。 三、氬氣用途 高純氬氣用于焊接、不銹鋼制造、冶煉,還用于半導體制造工藝中的化學氣相淀積、晶體生長、熱氧化、外延、擴散、多晶硅、鎢化、離子注入、載流、燒結等氬氣作為制作單晶及多晶硅的保護氣。 主要用途:歡迎新老用戶選擇我公司產品:氬氣凈化機,氬氣凈化器,高純氬氣凈化,高純氬氣凈化設備,高純氬氣純化設備,高純氬氣純化裝置,YAC系列氬氣凈化設備,全自動氬氣純化設備,大型氬氣凈化設備,硅材料行業(yè)用氬氣凈化設備,硅材料用除氧、除水氬氣純化裝置,氣站專用氬氣凈化設備,氣站專用氬氣純化器,氣站用高純氬設備,單晶硅行業(yè)用氬氣除氧、干燥設備,多晶硅行業(yè)用氬氣除氧、干燥設備,高純氬氣提純設備,氬氣提純機,高純氬氣過濾器。 以上是半自動6個9氬氣純化裝置的詳細信息,如果您對半自動6個9氬氣純化裝置的價格、廠家、型號、圖片有任何疑問,請聯(lián)系我們獲取半自動6個9氬氣純化裝置的最新信息 |